| 主权项 |
一种可切换准中性束系统，包括：等离子体生成腔室，该等离子体生成腔室具有上方等离子体区域，该上方等离子体区域被配置为在第一可切换准中性束工序期间建立处于第一上方等离子体电势的第一上方等离子体并且被配置为在第二可切换准中性束工序期间产生处于第二上方等离子体电势的第二上方等离子体；可切换准中性束过程腔室，该可切换准中性束过程腔室具有可切换等离子体区域，该可切换等离子体区域被配置为在所述第一可切换准中性束工序期间建立处于第一可切换准中性束处理等离子体电势的第一可切换准中性束处理等离子体并且被配置为在所述第二可切换准中性束工序期间产生处于第二可切换准中性束处理等离子体电势的第二可切换准中性束处理等离子体；分隔构件，该分隔构件被部署在所述等离子体生成腔室和所述可切换准中性束过程腔室之间，其中所述腔室包括被配置为在所述第一可切换准中性束工序期间在所述可切换等离子体区域中创建第一组束并且被配置为在所述第二可切换准中性束工序期间在所述可切换等离子体区域中创建第二组束的一个或多个开口，其中所述第一组束包括在所述第一可切换准中性束工序期间来自被建立为形成所述第一可切换准中性束处理等离子体的所述上方等离子体区域的第一电子流并且所述第二组束包括在所述第二可切换准中性束工序期间来自被建立为形成所述第二可切换准中性束等离子体的所述上方等离子体区域的第二电子流，其中所述分隔构件包括绝缘体；可切换衬底支架，该可切换衬底支架被配置为在所述可切换准中性束过程腔室中支撑图案化衬底，该可切换衬底支架耦合到多档位开关，该多档位开关被配置为在所述第一可切换准中性束工序期间使该可切换衬底支架耦合到地电势并且在所述第二可切换准中性束工序期间使该可切换衬底支架与地电势隔离；直流偏置电极系统，该直流偏置电极系统被配置为在所述可切换准中性束过程腔室中围绕所述可切换衬底支架，该直流偏置电极系统被配置为将正电压施加到所述第一可切换准中性束处理等离子体和所述第二可切换准中性束处理等离子体；以及系统控制器，该系统控制器耦合到配置在所述等离子体生成腔室中的一个或多个第一传感器、配置在所述可切换准中性束过程腔室中的一个或多个第二传感器、所述直流偏置电极系统以及所述可切换衬底支架，该系统控制器被配置为所述图案化衬底确定材料数据并且利用所确定的材料数据来建立所述第一可切换准中性束工序和所述第二可切换准中性束工序，该系统控制器包括一个或多个控制器，所述一个或多个控制器被配置为：(1)在所述第一可切换准中性束工序期间，通过控制所述直流偏置电极系统将第一直流电压施加到所述第一可切换准中性束处理等离子体，将所述第一可切换准中性束处理等离子体电势提升到高于所述第一上方等离子体电势以便控制所述第一电子流，并且通过控制所述多档位开关使所述可切换衬底支架耦合到地；以及(2)在所述第二可切换准中性束工序期间，通过控制所述直流偏置电极系统将第二直流电压施加到所述第二可切换准中性束处理等离子体，将所述第二可切换准中性束处理等离子体电势提升到高于所述第二上方等离子体电势以便控制所述第二电子流，并且通过控制所述多档位开关使所述可切换衬底支架与地隔离。 |
