半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。互连被提供在第一绝缘层中并且互连的上表面比第一绝缘层的上表面高。气隙被布置在互连和第一绝缘层之间。第二绝缘层至少形成在第一绝缘层和气隙的上方。第二绝缘层没有覆盖互连。蚀刻停止膜至少形成在第二绝缘层的上方。蚀刻停止膜被形成在第二绝缘层和互连的上方。第三绝缘层形成在蚀刻停止膜的上方。通孔被提供在第三绝缘层中以被连接至互连。

主权项

一种半导体器件，包括：第一绝缘层；互连，所述互连被提供在所述第一绝缘层中并且具有比所述第一绝缘层的上表面高的上表面；气隙，所述气隙被提供在所述互连和所述第一绝缘层之间；第二绝缘层，所述第二绝缘层至少被形成在所述第一绝缘层和所述气隙的上方；蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜至少被形成在所述第二绝缘层的上方；第三绝缘层，所述第三绝缘层被形成在所述蚀刻停止膜的上方；以及通孔，所述通孔至少被提供在所述第三绝缘层中并且被连接至所述互连，其中所述气隙被形成在所述第二绝缘层中。