| 发明名称 | 防篡改集成电路 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个方面，构想了一种包括物理不可克隆功能的集成电路，在所述集成电路的钝化层中至少部分地实现所述物理不可克隆功能。根据本发明的另一方面，构想了一种用于制造集成电路的相应方法。根据本发明的另一方面，构想了一种包括所述类型集成电路的电子设备。 | ||
| 申请公布号 | CN103426778B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201310175059.X | 申请日期 | 2013.05.13 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 森克·奥斯特敦;迈克尔·齐恩曼 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种用于制造集成电路(100)的方法，所述方法包括在所述集成电路(100)的钝化层(102)中至少部分地实现物理不可克隆功能PUF，其特征在于：(a)提供基本结构，所述基本结构包括用于外部连接的焊盘(106)、内部连接(108)和PUF检测器连接(110)；(b)用光致抗蚀剂层(200)覆盖除了PUF检测器连接(110)之外的所述基本结构；(c)将导电粒子随机地分布在经(b)所得到的整个表面上，随机分布的所述导电粒子实现所述物理不可克隆功能PUF；(d)去除所述光致抗蚀剂层(200)，使得仅有实质上在所述PUF检测器连接(110)上的粒子保留在所述表面上；(e)将所述钝化层(102)沉积在除了用于所述外部连接的焊盘(106)之外的所有元件上。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||