发明名称 可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法
摘要 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域,特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性,重量轻,携带方便,具有产业化潜力和市场空间,而且制备工艺简单,能实现规模生产。
申请公布号 CN103715284B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201310742938.6 申请日期 2013.12.30
申请人 沈阳工程学院 发明人 张铁岩;赵琰;张东;鞠振河;郑洪;李昱材;宋世巍;王健;边继明;刘宝丹
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人 梁焱
主权项 一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池,其特征在于是以聚酰亚胺作为柔性衬底,衬底上是AlN绝缘层,AlN绝缘层上方是Al背电极,Al背电极上方是作为缓冲层的镓掺杂氧化锌基导电薄膜,镓掺杂氧化锌基导电薄膜上方是N型氢化纳米晶硅薄膜,N型氢化纳米晶硅薄膜上方是I层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜,I层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜上方是P型氢化纳米晶硅薄膜,P型氢化纳米晶硅薄膜上方是镓掺杂氧化锌基导电薄膜,镓掺杂氧化锌基导电薄膜上方是Al金属电极;具体结构是:Al电极/镓掺杂氧化锌/P型氢化纳米晶硅/I层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N/N型氢化纳米晶硅/镓掺杂氧化锌 /Al背电极/AlN/ 聚酰亚胺柔性衬底,其中I层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜的带隙宽度可调且具有量子阱结构。
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