高深宽比结构中的触点清洁

摘要

本发明涉及高深宽比结构中的触点清洁。公开了清洁具有多个高深宽比开口的衬底的方法和装置。可以将衬底提供到等离子体处理室中，其中衬底包括多个高深宽比开口，多个高深宽比开口由具有交替的氧化物层和氮化物层或交替的氧化物层和多晶硅层的多个垂直结构限定。衬底可以包括在高深宽比开口内的在受损的或非晶硅层上的氧化硅层。为了去除氧化硅层，可以在低压下向等离子体室内施加偏置功率，并且基于氟的物质可用于蚀刻氧化硅层。为了去除下伏的受损的或非晶硅层，可以在等离子体处理室中施加源功率和偏置功率，并且基于氢的物质可用于蚀刻受损的或非晶硅层。

主权项

一种清洁具有多个高深宽比开口的衬底的方法，该方法包括：提供具有多个高深宽比开口的衬底到等离子体处理室中，所述开口中的每一个都具有大于约10:1的高度比横向尺寸的深宽比；使包括基于氟的物质的第一蚀刻剂朝向所述衬底流动；施加第一偏置功率到所述等离子体处理室，以产生所述基于氟的物质的等离子体，从而去除所述高深宽比开口中的氧化硅；使包括基于氢的物质的第二蚀刻剂朝向所述衬底流动；以及施加源功率和第二偏置功率到所述等离子体处理室，以产生所述基于氢的物质的等离子体，从而去除所述高深宽比开口中的硅。