| 摘要 |
본 발명은, 반도체 소자와 오믹 전극의 사이의 콘택 저항값의 웨이퍼 면내 균일성을 향상시키는 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 다층 금속층을 어닐해서 오믹 전극을 형성하는 어닐공정 전의 승온과정에, 제1 온도 범위의 범위 내의 온도를 30초 내지 150초 유지하는 온도 유지공정을 설치한다. 제1 온도 범위란, 상기 다층 금속층의 각 층의 융점 중 가장 낮은 융점인 최저 융점보다 100℃ 낮은 온도로부터 상기 최저 융점까지의 범위의 온도이다. 온도 유지공정후에 어닐공정으로 진행하기 위한 승온은, 상기 온도 유지공정에서 형성된 웨이퍼 면내의 온도 균일성을 손상하지 않도록 5℃/초 내지 20℃/초의 승온 속도로 노내 온도를 승온한다. |
