| 摘要 |
L'invention concerne un capteur photosensible (100) comprenant : des première (D1) et deuxième (D2) cellules photosensibles juxtaposées formées dans un substrat semiconducteur (101) ; des première (103) et deuxième (105) couches diélectriques d'interface revêtant respectivement les première (D1) et deuxième (D2) cellules ; et un réseau de résonance (107) formé dans une troisième couche diélectrique (109) revêtant les première (103) et deuxième (105) couches d'interface, dans lequel les première (103) et deuxième (105) couches d'interface présentent des épaisseurs différentes, ou des indices de réfraction différents, ou des épaisseurs et des indices de réfraction différents. |
