| 摘要 |
Ein Einkristall-Siliziumblock und ein Wafer für einen Halbleiter umfassen in einer Ausführungsform einen Übergangsbereich, der unter den Kristalldefekten, die in einer zwischengitterstellendominierten defektfreien Zone enthalten sind, überwiegend Kristalldefekte mit einer Größe von 10 nm bis 30 nm hat. Die Differenz zwischen der Anfangssauerstoffkonzentration, bevor wenigstens eine Wärmebehandlung des Blocks und des Wafers durchgeführt wird, und einer Endsauerstoffkonzentration, nachdem die Wärmebehandlung des Blocks und des Wafers wenigstens einmal ausgeführt wurde, ist 0,5 ppma oder weniger. |
