Halbleitervorrichtung mit Feldelektrode und Kontaktstruktur

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst eine Feldelektrodenstruktur (160) mit einer Feldelektrode (165) und einem die Feldelektrode (165) umgebenden Felddielektrikum (161). Ein Halbleiterkörper (100) umfasst einen Transistorabschnitt (TS), der die Feldelektrodenstruktur (160) umgibt und eine Sourcezone (110), einen ersten Driftzonenabschnitt (121a) und eine die Sourcezone (110) und den ersten Driftzonenabschnitt (121a) trennende Bodyzone (115) aufweist. Die Bodyzone (115) bildet einen ersten pn-Übergang (pn1) mit der Sourcezone (110) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit dem ersten Driftzonenabschnitt (121a). Eine Gatestruktur (150) umgibt die Feldelektrodenstruktur (160) und umfasst eine Gateelektrode (155) und ein die Gateelektrode (155) und die Bodyzone (115) trennendes Gatedielektrikum (151). Eine Kontaktstruktur (315) grenzt direkt an die Source- und Bodyzonen (110, 115) an und umgibt die Feldelektrodenstruktur (160) gleichmäßig bezüglich der Feldelektrodenstruktur (160).