Verfahren zum Abstützen eines wachsenden Einkristalls während des Kristallisierens des Einkristalls gemäß dem FZ-Verfahren

摘要

Verfahren zum Abstützen eines wachsenden Einkristalls im Bereich eines konusförmigen Abschnitts des Einkristalls durch einen Stützkörper während des Kristallisierens des Einkristalls gemäß dem FZ-Verfahren. Das Verfahren umfasst das Pressen des Stützkörpers gegen den konusförmigen Abschnitt des wachsenden Einkristalls bei einer Temperatur, bei der ein erstes Material des Stützkörpers weich wird, und das fortgesetzte Pressen des Stützkörpers gegen den konusförmigen Abschnitt des wachsenden Einkristalls, bis das erste Material und ein zweites Material des Stützkörpers, das bei der genannten Temperatur fest bleibt, den konusförmigen Abschnitt des wachsenden Einkristalls berühren.