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[과제] 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비나 반도체 기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는, 우수한 레지스트 하층막을 제공할 수 있다. [해결수단] 하기 식(1):(식(1) 중, R은 수소원자, 또는 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 카르보닐기, 탄소수 6~40의 아릴기, 또는 하이드록시기로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 6~40의 아릴기, 또는 복소환기이고, R는 수소원자, 또는 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 또는 하이드록시기로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~40의 아릴기, 또는 복소환기이고, R과 R는 이들이 결합하는 탄소원자와 하나가 되어 환을 형성하고 있을 수도 있다. n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 식(1)의 R이 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환 또는 피렌환이고, R가 수소원자이다. |
