SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명은 압축 응력이 축적된 GaN을 갖는 반도체 장치를 제공한다. 실시 형태의 반도체 장치는, GaN층과, AlGaN(0≤X<1)층을 갖는다. 상기 AlGaN(0≤X<1)층은 상기 GaN층에 접하여 상기 GaN층 위에 형성되며, C를 포함한다.