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Bei einem Verfahren zum dreidimensionalen Vermessen eines 3D-Luftbildes im Bereich um eine Bildebene bei der Abbildung einer Lithografiemaske (5), die in einer Objektebene (4) angeordnet ist, wird ein wählbares Abbildungsmaßstab-Verhältnis in zueinander senkrechten Richtungen (x, y) berücksichtigt. Hierzu wird eine elektromagnetische Wellenfront von Abbildungslicht (1) nach dessen Wechselwirkung mit der Lithografiemaske (5) rekonstruiert. Eine Beeinflussungsgröße, die dem Abbildungsmaßstab-Verhältnis entspricht, wird einbezogen. Schließlich wird das unter Einbeziehung der Beeinflussungsgröße gemessene 3D-Luftbild ausgegeben. Es resultiert ein Vermessungsverfahren, mit dem auch Lithografiemasken vermessen werden können, die zur Verwendung mit einer anomorphotischen Projektionsoptik bei der Projektionsbelichtung optimiert sind. |
