VERFAHREN ZUM PROZESSIEREN EINES SAUERSTOFF ENTHALTENDEN HALBLEITERKÖRPERS

摘要

Ein Verfahren zum Prozessieren eines Halbleiterkörpers ist beschrieben. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren das Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem Siliziumwafer in einem an eine erste Oberfläche des Siliziumwafers angrenzenden ersten Gebiet durch eine erste Wärmebehandlung, das Erzeugen von Leerstellen in einem Kristallgitter des Wafers wenigstens in einem an das erste Gebiet angrenzenden zweiten Gebiet durch Implantieren von Teilchen über die erste Oberfläche in den Wafer und das Herstellen von Sauerstoffpräzipitaten in dem zweiten Gebiet durch eine zweite Wärmebehandlung.