Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, die ein ferroelektrisches Material enthält und Halbleiterstruktur, die einen ferroelektrischen Transistor umfasst

摘要

Ein veranschaulichendes Verfahren, das hierin angegeben wird, umfasst ein Bereitstellen einer Halbleiterstruktur. Die Halbleiterstruktur umfasst ein Gebiet für einen Logik-Transistor, ein Gebiet für einen ferroelektrischen Transistor und ein Gebiet für einen Eingabe/Ausgabe-Transistor. Über der Halbleiterstruktur wird eine erste Schutzschicht gebildet. Die erste Schutzschicht bedeckt das Gebiet für den Logik-Transistor und das Gebiet für den Eingabe/Ausgabe-Transistor. Zumindest ein Teil des Gebiets für den ferroelektrischen Transistor wird nicht von der ersten Schutzschicht bedeckt. Nach dem Bilden der ersten Schutzschicht wird über der Halbleiterstruktur ein Dielektrikum für den ferroelektrischen Transistor abgeschieden, das Dielektrikum für den ferroelektrischen Transistor und die erste Schutzschicht von dem Gebiet für den Logik-Transistor und dem Gebiet für den Eingabe/Ausgabe-Transistor entfernt, ein Dielektrikum für den Eingabe/Ausgabe-Transistor über dem Gebiet für den Eingabe/Ausgabe-Transistor gebildet und ein Dielektrikum für den Logik-Transistor über zumindest dem Gebiet für den Logik-Transistor gebildet.