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In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Oberseite (2), einer der Oberseite (2) gegenüberliegende Unterseite (3) und einer aktiven Schicht (11) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung einer ersten Wellenlänge (10), wobei der Halbleiterchip (100) frei von einem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge (1) ist. Weiter umfasst der Halbleiterchip (100) eine Mehrzahl von auf der Unterseite (3) angeordneten Kontaktelementen (30), die einzeln und unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar sind. Dabei ist die Halbleiterschichtenfolge (1) in eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten Emissionsbereichen (20) unterteilt, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb Strahlung zu emittieren. Jedem Emissionsbereich (20) ist dabei eines der Kontaktelemente (30) zugeordnet. Ferner umfasst jeder Emissionsbereich (20) eine Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge (1), die sich von der Oberseite (2) in Richtung aktive Schicht (11) erstreckt. In Draufsicht auf die Oberseite (2) ist die Ausnehmung eines jeden Emissionsbereichs (20) vollständig von einer zusammenhängenden Bahn aus Trennwänden (21) umgeben, wobei die Trennwände (21) aus der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet sind. |
