Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Das Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Halbleitervorrichtung mit einem Endbereich, der ein Resist-Kollabieren bei der Herstellung unterdrücken kann und eine Konzentration von elektrischen Feldern wirksam abschwächen kann, sowie in der Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung. Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Halbleiterelement (110), das in einem Halbleitersubstrat aus einem Siliciumcarbid-Halbleiter eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, sowie eine Vielzahl von ringförmigen Bereichen (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf, die in dem Halbleitersubstrat das Halbleiterelement (110) in der Draufsicht umgebend gebildet sind. Mindestens einer der Vielzahl von ringförmigen Bereichen (2) besitzt einen oder mehrere Trennungsbereiche (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, die Regionen des ersten Leitfähigkeitstyps auf einer Innenseite und einer Außenseite von einem der ringförmigen Bereiche (2) in der Draufsicht miteinander in Verbindung bringen.