发明名称 Magnetic memory device and method of operating the same
摘要 자기 메모리 소자 및 그 동작방법이 개시되어 있다. 개시된 자기 메모리 소자는 제1 자구벽을 포함하는 제1 기준층과 제2 자구벽을 포함하는 제2 기준층 사이에 메모리 구조체를 포함할 수 있다. 상기 메모리 구조체는 적어도 두 개의 자유층을 정보 저장요소로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 메모리 구조체는 상기 제1 기준층에 인접한 제1 자유층, 상기 제2 기준층에 인접한 제2 자유층 및 상기 제1 및 제2 자유층 사이에 스위칭요소를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR101598833(B1) 申请公布日期 2016.03.03
申请号 KR20090128345 申请日期 2009.12.21
申请人 삼성전자주식회사 发明人 황인준
分类号 G11C11/15;G11C19/08;H01L27/115;H01L43/12 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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