发明名称 | 双区离子束碳沉积 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于离子束沉积的包括多个阳极的离子源,其中离子源沉积源材料的多个区,并且多个区中的至少两个的厚度不同。 | ||
申请公布号 | CN101660133B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
申请号 | CN200910173341.8 | 申请日期 | 2009.07.23 |
申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | P·S·麦克莱奥德;K·-W·舒尔 |
分类号 | C23C14/46(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/46(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
主权项 | 一种用于离子束沉积工艺的离子源,其中所述源包括:由源材料构成的至少两个共轴圆柱阳极;用作阴极和电子源的灯丝;其中,不同的电压被分别施加到所述至少两个共轴圆柱阳极,并且来自所述灯丝的电子撞击所述至少两个共轴圆柱阳极以产生所述源材料的离子束,以便在衬底上不同的共轴区中沉积不同厚度的源材料。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |