具有优良集成性能的低k前体

摘要

本发明提供了一种具有优良的集成性能的低k前体。本发明的用于产生多孔有机硅玻璃薄膜的沉积包括：将气体试剂引入真空室中，该气体试剂包括一种有机硅烷或有机硅氧烷的前体及与该前体明显不同的致孔剂，其中所述致孔剂性质上是芳香性的；将能量施加于室中的气体试剂上以诱导气体试剂的反应而沉积薄膜，其包含所述致孔剂；和通过UV辐射除去基本上所有的有机物质以提供具有孔和介电常数小于2.6的多孔薄膜。

主权项

一种组合物，包含：(a)至少一种选自以下的含硅前体：(i)R¹_n(OR²)_p(O(O)CR⁴)_3‑n‑pSi‑R⁷‑SiR³_m(O(O)CR⁵)_q(OR⁶)_3‑m‑q，其中R¹和R³独立地选自H或C₁‑C₄直链烃、C₃‑C₄支链的、饱和的烃、C₂‑C₄单不饱和的烃、C₃‑C₄多不饱和的烃、C₄环烃、C₁‑C₄部分或完全氟化的烃；R²、R⁶和R⁷独立地选自C₁‑C₆直链烃、C₃‑C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂‑C₆单不饱和的烃、C₄‑C₆环烃或芳香烃、C₁‑C₆部分或完全氟化的烃；R⁴和R⁵独立地选自H、C₁‑C₆直链烃、C₃‑C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂‑C₆单不饱和的烃、C₄‑C₆环烃或芳香烃、C₁‑C₆部分或完全氟化的烃；n为0至3；m为0至3；q为0至3和p为0至3；条件是n+m≥1，n+p≤3和m+q≤3；(ii)R¹_n(OR²)_p(O(O)CR³)_4‑(n+p)Si，其中R¹独立地选自H或C₁‑C₄直链烃、C₃‑C₄支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂‑C₄单不饱和的烃、C₄环烃、C₁‑C₄部分或完全氟化的烃；R²独立地选自C₁‑C₆直链烃、C₃‑C₆支链的、饱和的、单或多不饱和的烃、C₂‑C₆单不饱和的烃、C₄‑C₆环烃或芳香烃、C₁‑C₆部分或完全氟化的烃；R³独立地选自H、C₁‑C₆直链烃、C₃‑C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂‑C₄单不饱和的烃、C₄‑C₆环烃或芳香烃、C₁‑C₆部分或完全氟化的烃；n为1至3和p为0至3；(iii)甲基三乙氧基甲硅烷；和(iv)甲基三甲氧基甲硅烷；及(b)致孔剂前体，其包含由下式表示的化合物：其中R1‑R6为可以独立地选自H、或OH、或C₁‑C₆直链烃、或C₃‑C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂‑C₆单不饱和的烃、C₄‑C₆环烃、或C₁‑C₆直链醇、C₃‑C₆支链的、饱和或多不饱和的醇或环醚及C₂‑C₆环氧化物或酮的基团。