发明名称 |
一种改进的异或门逻辑单元电路 |
摘要 |
本发明公开了一种改进的异或门逻辑单元电路,由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路;PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联。第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。本发明所使用的晶体管数量为10个,比传统的异或门逻辑单元电路少2个晶体管,通过较少的晶体管实现了异或运算逻辑,减小了面积,降低了功耗。 |
申请公布号 |
CN105375916A |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201510927493.8 |
申请日期 |
2015.12.14 |
申请人 |
武汉芯昌科技有限公司 |
发明人 |
孙缵;胡银肖;李玮 |
分类号 |
H03K19/21(2006.01)I;H03K19/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/21(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种改进的异或门逻辑单元电路,其特征在于,由两级电路来组成电路单元,包括第一级电路和第二级电路;所述第一级电路的输出端连接第二级电路的输入端;所述第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联;所述第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。 |
地址 |
430000 湖北省武汉市东湖开发区关山一路光谷软件园蓝域.商界2号楼三层307 |