发明名称 高ダイナミックレンジイメージセンサ
摘要 The device (10) has reading circuits with metal-oxide-semiconductor transistors to charge and discharge photodetectors e.g. photodiodes, of pixels (18). An electronic circuit is formed of an activation signal generating matrix (30) and reference and evaluation blocks (32, 34) and arranged on a substrate (14) to control transistors to generate charging and discharging activation signals transmitted to the transistors via electric links (16) between substrate and another substrate (12). One of the pixels is associated to one of the signals imposing integration time appropriate to the pixel.
申请公布号 JP5874912(B2) 申请公布日期 2016.03.02
申请号 JP20120007564 申请日期 2012.01.17
申请人 コミサリアト ア レネルジー アトミクー エ オ エネルジーズ アルタナティヴズ 发明人 グエッツィ ファドウア;ペイツェラト アルナウド
分类号 H04N5/355;H01L27/14;H01L27/146;H04N5/374 主分类号 H04N5/355
代理机构 代理人
主权项
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