一种太阳能电池片镀膜的方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池片镀膜的方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，预沉积150秒，再通入硅烷，持续放电700秒；(6)停止通气，抽真空，通入氮气，再抽真空；(7)卸料即可。采用本发明的方法后，可以很好的解决PECVD工序中产生的红片，色差片问题，使得膜色符合工艺要求。

主权项

一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；（2）抽真空，至炉管内压力达到35毫托；（3）通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；（4）抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，恢复常压；（5）抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；（6）停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，恢复常压；（7）卸料即可；步骤（5）中控制反应温度保持在420‑430℃，硅烷氨气比为800 sccm:7000 sccm，反应压力控制在1600毫托‑1800毫托；放电功率调整到6300‑6500w，脉冲开关比例调整为4:45‑47；    步骤（4）和步骤（6）中通入氮气具体是指通入氮气6000sccm，时间20秒。