发明名称 |
功率放大器 |
摘要 |
本发明涉及功率放大器,其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器(10)具备:半导体基板(12),形成有多个晶体管单元;该多个晶体管单元的漏极电极(40),形成在该半导体基板上;漏极焊盘(42),在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成;离子注入电阻(44),在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成;浮动电极(46),在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成;输出匹配电路(16),形成在该半导体基板的外部;以及布线(18a,18b,18c,18d),连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。 |
申请公布号 |
CN102916662B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201210274868.1 |
申请日期 |
2012.08.03 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
三轮真一;塚原良洋;金谷康;小坂尚希 |
分类号 |
H03F3/21(2006.01)I;H03F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/21(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
一种功率放大器,其特征在于,具备:半导体基板,形成有多个晶体管单元;所述多个晶体管单元的漏极电极,形成在所述半导体基板上;漏极焊盘,在所述半导体基板上以与所述漏极电极连接的方式形成;离子注入电阻,在所述半导体基板以沿着所述漏极焊盘与所述漏极焊盘相接的方式形成;浮动电极,其形成为,在所述半导体基板上经由所述离子注入电阻与所述漏极焊盘相接;输出匹配电路,形成在所述半导体基板的外部;以及布线,连接所述漏极焊盘和所述输出匹配电路。 |
地址 |
日本东京都 |