金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。该金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层。通过本发明的技术方案，能够简化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构和制作工艺，提高金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层；所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；通过一次构图工艺形成金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形；对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物，形成由结晶金属氧化物组成的有源层；或所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物；通过一次构图工艺形成由结晶金属氧化物组成的有源层和结晶诱导层的图形；所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层之后还包括：在基板上沉积源漏金属层；通过一次构图工艺形成漏电极、源电极和数据线的图形；以所述源电极和漏电极为掩膜，刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层。