发明名称 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
摘要 本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置,属于半导体制造技术领域。所述装置包括:等离子体浸没注入系统,用于注入离子;离子成分与组分诊断单元,用于确定注入离子的种类、每种离子的电荷数以及每种离子占总离子数的比例;注入离子电流检测单元,用于探测离子所形成的电流;离子电流信号检出单元,用于检出注入离子电流检测单元探测到的电流;信号处理与控制单元,用于根据注入离子的种类、每种离子的电荷数、每种离子占总离子数的比例以及离子电流信号检出单元检出的电流获得离子的注入剂量。本发明能够实现单一种离子注入剂量的精确检测与控制,可直接用于PIII中注入离子剂量检测和控制。
申请公布号 CN103165371B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201110412965.8 申请日期 2011.12.12
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 李超波;汪明刚;屈芙蓉;夏洋
分类号 H01J37/244(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;G01T1/02(2006.01)I 主分类号 H01J37/244(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置,其特征在于,包括:等离子体浸没注入系统,用于注入离子;离子成分与组分诊断单元,用于确定注入离子的种类、每种离子的电荷数以及每种离子占总离子数的比例;注入离子电流检测单元,用于探测离子所形成的电流;离子电流信号检出单元,用于检出注入离子电流检测单元探测到的电流;信号处理与控制单元,用于根据注入离子的种类、每种离子的电荷数、每种离子占总离子数的比例以及离子电流信号检出单元检出的电流获得离子的注入剂量;所述信号处理与控制单元按照下述公式计算时间段T内第i种离子注入剂量:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mi>e</mi></mfrac><mfrac><msub><mi>c</mi><mi>i</mi></msub><mrow><munder><mo>&Sigma;</mo><mi>j</mi></munder><msub><mi>m</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>c</mi><mi>j</mi></msub></mrow></mfrac><msubsup><mo>&Integral;</mo><mn>0</mn><mi>T</mi></msubsup><mi>I</mi><mi>d</mi><mi>t</mi><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000825807900000011.GIF" wi="484" he="202" /></maths>其中,n<sub>i</sub>为第i种离子注入剂量,e为单位电荷数,c<sub>i</sub>为第i种离子占总离子数的比例,c<sub>j</sub>为第j种离子占总离子数的比例,m<sub>j</sub>为第j种离子的电荷数,I为离子电流信号检出单元检出的电流;i=1,2,……,m;j=1,2,……,m;m为离子种类数;所述信号处理与控制单元按照下述公式计算时间段T内k种离子注入剂量:<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mi>j</mi></mrow><mi>k</mi></munderover><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mi>e</mi></mfrac><mfrac><mrow><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mi>j</mi></mrow><mi>k</mi></munderover><msub><mi>c</mi><mi>i</mi></msub></mrow><mrow><munder><mo>&Sigma;</mo><mi>j</mi></munder><msub><mi>m</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>c</mi><mi>j</mi></msub></mrow></mfrac><msubsup><mo>&Integral;</mo><mn>0</mn><mi>T</mi></msubsup><mi>I</mi><mi>d</mi><mi>t</mi><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000825807900000012.GIF" wi="508" he="285" /></maths>其中,<img file="FDA0000825807900000013.GIF" wi="114" he="148" />为k种离子注入剂量,e为单位电荷数,c<sub>j</sub>为第j种离子占总离子数的比例,m<sub>j</sub>为第j种离子的电荷数,I为离子电流信号检出单元检出的电流;j=1,2,……,m;m为离子种类数。
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