发明名称 |
晶体管及显示设备 |
摘要 |
本发明提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层,能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外,还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。 |
申请公布号 |
CN102498553B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201080041232.1 |
申请日期 |
2010.08.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种晶体管,包括:栅极电极层;在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层;在所述栅极绝缘层之上与所述氧化物半导体层的一部分重叠的源极电极层和漏极电极层;以及在所述源极电极层和所述漏极电极层之上的并且在所述氧化物半导体层上且与其接触的氧化物绝缘层,其中所述氧化物半导体层包括浅表部分的第一区和其余部分的第二区,其中所述氧化物半导体层的所述第一区包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的微晶,其中所述氧化物半导体层的所述第二区是非晶的、或者由非晶质和微晶的混合物形成、或者由微晶形成,其中所述氧化物半导体层以溅射法形成,并且其中所述氧化物半导体层包括铟、锌和选自镓、铝、锰和钴中的一种或多种元素。 |
地址 |
日本神奈川 |