| 发明名称 | OLED装置及制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种制造OLED装置(10)的方法，该方法包括：在衬底(1)上应用多个导电条(4)；在导电条(4)界定的区域内在衬底(1)上沉积有机层(2)；在导电条(4)上应用密封剂从而封装OLED装置(10)；以及至少部分地在每个导电条(4)上沉积导电保护层(6)，使得在密封剂外部的导电条(4)的表面被导电保护层(6)保护。本发明还描述一种OLED装置(10)，其包括：应用在衬底(1)上的多个导电条(4)；在由导电条(4)界定的区域内沉积在衬底(1)上的有机层(2)；至少部分地沉积在导电条(4)上的导电保护层(6)；以及用于封装OLED装置(10)的密封剂，该密封剂应用到导电条(4)，使得在密封剂外部的导电条(4)的表面被导电保护层(6)保护。 | ||
| 申请公布号 | CN102986053B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201180035011.8 | 申请日期 | 2011.07.11 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | H.施瓦布 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H05K3/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;汪扬 |
| 主权项 | 一种制造OLED装置(10)的方法，该方法包括：在衬底(1)上应用多个导电条(4)；在导电条(4)界定的区域内在衬底(1)上沉积有机层(2)；在导电条(4)上应用密封剂从而封装OLED装置(10)；以及至少部分地在每个导电条(4)上沉积导电保护层(6)，使得在密封剂外部的导电条(4)的表面被导电保护层(6)保护，其中沉积导电保护层(6)的步骤包括从载体传递部分的传递层(60)或一系列传递层(60)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||