| 发明名称 | 多层膜的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。 | ||
| 申请公布号 | CN105374756A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510484931.8 | 申请日期 | 2015.08.07 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 斋藤祐介;石田竜宇 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其为对多层膜进行蚀刻的方法，所述多层膜包含具有相互不同的介电常数并且交替层叠的第1膜和第2膜，所述方法包括以下工序：在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有所述多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及对所述多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发，所述含氟气体是NF<sub>3</sub>气体或SF<sub>6</sub>气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||