发明名称 |
微电子机械系统(MEMS)结构中的应力隔离特征的整块式一体化 |
摘要 |
本申请涉及微电子机械系统(MEMS)结构中的应力隔离特征的整块式一体化。提供了一种微电子机械(MEMS)结构。在一个实施例中,该MEMS结构包括玻璃基底层,该玻璃基底层包含至少一个嵌入式应力隔离特征。该玻璃基底还包括至少一个隆起结合部位,该隆起结合部位被构造成用于将该MEMS结构联接到封装。该MEMS结构还包括形成在该玻璃基底层上的半导体设备层,该半导体设备层包括MEMS传感器。该MEMS结构还包括设置在该半导体设备层上的顶部玻璃层。 |
申请公布号 |
CN105366632A |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201510473172.5 |
申请日期 |
2015.08.05 |
申请人 |
霍尼韦尔国际公司 |
发明人 |
G.H.罗登;R.苏皮诺 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吴超;谭祐祥 |
主权项 |
一种用于制造微电子机械(MEMS)结构的方法,该方法包括:在牺牲材料层(100、500)中蚀刻至少一个牺牲特征(104、504);将所述牺牲材料层在真空中结合到玻璃晶片(106、506);加热所述玻璃晶片超过玻璃软化点以将所述玻璃真空成形到所述牺牲层中,从而在所述玻璃晶片(110、510)中留下所述至少一个牺牲特征(104、504);对所述玻璃晶片进行抛光以建立包含所述至少一个牺牲特征的玻璃基底;在所述玻璃基底中形成凹部(111)以进行金属化;在所述玻璃基底中形成半导体设备层(120); 将包含组成图案的金属化和凹部的上玻璃晶片(122)结合到所述半导体设备层; 去除所述至少一个牺牲特征以在所述玻璃晶片中形成应力隔离特征。 |
地址 |
美国新泽西州 |