一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法包括：步骤S101：对上部衬底进行刻蚀以去除牺牲层；步骤S102：对上部衬底进行热处理以释放出位于上部衬底内的气体；步骤S103：对上部衬底进行湿法清洗以去除位于上部衬底表面的自然氧化物层；步骤S104：将上部衬底与形成有MEMS器件的下部衬底键合以形成位于MEMS器件上方的空腔。该方法由于在对上部衬底进行刻蚀以去除牺牲层的步骤之后、将上部衬底与下部衬底键合的步骤之前增加了对上部衬底进行热处理的步骤，可以释放出上部衬底内的气体，因而可以提高半导体器件的品质因子和良率。本发明的电子装置，采用了上述半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：对上部衬底进行刻蚀以去除位于所述上部衬底之上的牺牲层；步骤S102：对所述上部衬底进行热处理以释放出位于所述上部衬底内的气体；步骤S103：对所述上部衬底进行湿法清洗以去除位于所述上部衬底表面的自然氧化物层；步骤S104：将所述上部衬底与形成有MEMS器件的下部衬底键合以形成位于所述MEMS器件上方的空腔。