| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成开口、以及位于所述开口底部表面的若干纳米线，所述纳米线垂直于所述衬底表面；在所述开口内形成牺牲层；在所述牺牲层表面和纳米线顶部形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖于所述若干纳米线上，且所述第二掩膜层暴露出部分牺牲层表面；在形成第二掩膜层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，对所述纳米线进行退火。所形成的半导体结构形貌良好。 | ||
| 申请公布号 | CN105374680A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201410425453.9 | 申请日期 | 2014.08.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成开口、以及位于所述开口底部表面的若干纳米线，所述纳米线垂直于所述衬底表面；在所述开口内形成牺牲层；在所述牺牲层表面和纳米线顶部形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖于所述若干纳米线上，且所述第二掩膜层暴露出部分牺牲层表面；在形成第二掩膜层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，对所述纳米线进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||