| 发明名称 | 半导体装置的制造方法以及PIN二极管 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底(1)形成IGBT(15)。在半导体衬底(1)上利用多晶硅或者非晶硅形成温度感测二极管(17)。在形成IGBT(15)之后将温度感测二极管(17)的一部分选择性地氧化或者升华，从而将温度感测二极管(17)分割为多个二极管。由此，能够消除由多晶硅的完成尺寸的波动导致的对特性的影响。其结果，能够抑制特性波动并实现小型化。 | ||
| 申请公布号 | CN105378923A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201380078145.7 | 申请日期 | 2013.07.11 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藤井秀纪 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体衬底形成晶体管的工序；在所述半导体衬底上利用多晶硅或者非晶硅形成PIN二极管的工序；以及在形成所述晶体管之后使所述PIN二极管的一部分选择性地氧化或升华，从而将所述PIN二极管分割为多个二极管的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||