发明名称 |
基于等效电路的晶体管可靠性表征方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于等效电路的晶体管可靠性表征方法,包括以下步骤:S1、根据晶体管类型确定晶体管的等效电路;S2、确定用于寿命加速试验的应力的类型和大小,并确定等效电路中的敏感参数退化模型;S3、对晶体管进行寿命加速测试;S4、定时采集晶体管的测试数据,提取等效电路敏感参数,得到等效电路敏感参数随应力和时间的变化关系;S5、对所述敏感参数退化模型中的待定常数进行拟合,得到完整敏感参数退化模型和完整等效电路;S6、对晶体管进行失效机制分析和可靠性分析。本发明可用于模拟器件失效机制对电路性能的影响,可以分析晶体管的失效机制,指导工艺改进,还可以预测晶体管的性能退化量和失效时间,缩短可靠性试验时间。 |
申请公布号 |
CN105373660A |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201510772257.3 |
申请日期 |
2015.11.12 |
申请人 |
成都嘉石科技有限公司 |
发明人 |
陈勇波 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰 |
主权项 |
基于等效电路的晶体管可靠性表征方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、根据晶体管类型确定晶体管的等效电路;S2、确定用于寿命加速试验的应力的类型和大小,并根据所述应力的类型确定所述等效电路中的敏感参数退化模型;S3、根据应力的类型和大小对晶体管进行寿命加速测试;S4、定时采集晶体管的测试数据,根据测试数据提取等效电路敏感参数,得到所述等效电路敏感参数随应力和时间的变化关系;S5、根据所述变化关系对所述敏感参数退化模型中的待定常数进行拟合,得到完整敏感参数退化模型,并将所述完整敏感参数退化模型带入到所述等效电路中,得到晶体管的完整等效电路;S6、根据所述完整敏感参数退化模型对晶体管进行失效机制分析,并根据所述完整等效电路对晶体管进行电路可靠性分析。 |
地址 |
610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 |