| 发明名称 | 一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置，其包括步骤：沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备而成；沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；沉积一量子点发光层于空穴传输层上；依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明将纳米金属氧化物掺入空穴注入层材料，利用无机金属氧化物的稳定性和纳米材料的高的比表面积和空穴注入层材料良好的导电性制备了QLED器件，这种结合既保证QLED器件具有优异的性能，又提高QLED器件稳定性和寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN105374953A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510983516.7 | 申请日期 | 2015.12.24 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备而成；B、沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；C、沉积一量子点发光层于空穴传输层上；D、依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||