发明名称 |
一种LED外延结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明所述的LED外延结构,N型GaN层采用周期性的梯度掺杂结构,交替设置的掺杂Si的GaN和不掺杂的GaN层可以在不掺杂的GaN层聚集电子,形成高密度的二维电子气,从而有效增加载流子浓度和迁移率;更重要的是,设置在多量子阱层上的U型的超晶格层与N型GaN层之间形成多结电容结构,能有效增强载流子的横向扩展能力,扩大流入多量子阱层的电流分布面积,有效降低LED的驱动电压。本发明所述的LED外延结构的制备方法,N型GaN层中的掺杂结构简单、层数少,超晶格层更采用不掺杂结构,工艺简单,制作成本低。 |
申请公布号 |
CN103531680B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201310504963.0 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
苏州矩阵光电有限公司 |
发明人 |
李勇;崔德国 |
分类号 |
H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/04(2010.01)I |
代理机构 |
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 |
代理人 |
彭秀丽 |
主权项 |
一种LED外延结构,包括在依次叠加设置的衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层,其特征在于,N型GaN层包括第一N型层、第二N型层和第三N型层,各层均进一步包括交替设置的掺杂Si的GaN层和不掺杂的GaN层;所述第一N型层厚度为900~1000nm,所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为2:1,Si的掺杂浓度为7~8×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>,交替周期为15~20;所述第二N型层厚度为1300~1400nm,所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为3:1,Si的掺杂浓度为9~10×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>,交替周期为20~30;所述第三N型层厚度为200~300nm,所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为1:1,Si的掺杂浓度为5~6×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>,交替周期为10~15;所述第一N型层靠近所述缓冲层设置;所述多量子阱层与所述P型GaN层之间还直接设置有U型超晶格层;所述P型GaN层包括依次设置的Mg掺杂GaN层、Mg掺杂AlInGaN层、Mg掺杂GaN层。 |
地址 |
215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道凤凰科技园E栋 |