发明名称 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法
摘要 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法,包括如下步骤:制作多个氮化物LED测试样品,使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层;从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面,在该台面上蒸镀上n电极,在ITO层表面蒸镀p电极,在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层,在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔;计算测试样品的光提取效率;利用积分球测量各测试样品,获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率;通过光功率计算测试样品的外量子效率,并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
申请公布号 CN103528802B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201310529305.7 申请日期 2013.10.31
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 魏学成;赵丽霞;王莉;孔庆峰;卢鹏志;王军喜;曾一平;李晋闽
分类号 G01M11/02(2006.01)I 主分类号 G01M11/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种测量氮化物LED内量子效率的方法,包括如下步骤:S1、制作多个氮化物LED测试样品,所述测试样品自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层;从所述测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面,在该台面上蒸镀上n电极,在ITO层表面蒸镀p电极,在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层;其中,所述有源区为1~20对GaN/InGaN,AlN/AlGaN,AlGaN/GaN,InGaN/InGaN量子阱;S2、在各所述测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔,各所述测试样品的出光孔孔径不同;S3、计算所述各测试样品的光提取效率;S4、利用积分球测量各所述测试样品,获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率;S5、通过步骤S4测量得到的光功率计算所述测试样品的外量子效率,并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。
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