氮化镓系化合物半导体发光元件

摘要

一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×10¹⁸cm^-3到9.0×10¹⁸cm^-3的范围内进行调整。

主权项

一种氮化镓系化合物半导体发光元件，具有：n型氮化镓系化合物半导体层；p型GaN层；位于上述n型氮化镓系化合物半导体层与上述p型GaN层之间的活性层；位于上述p型GaN层与上述活性层之间的p型AlGaN溢出抑制层；以及与上述p型GaN层接触的p型电极，在上述氮化镓系化合物半导体发光元件中，上述p型GaN层在表面具有(10‑10)面，上述p型GaN层与上述p型AlGaN溢出抑制层接触，上述p型GaN层由掺杂了浓度高于9.0×10¹⁸cm^‑3的Mg的高浓度区域和上述高浓度区域以外的区域构成，上述高浓度区域以10nm以上且100nm以下的厚度设置在上述p型电极侧，在上述高浓度区域以外的区域中掺杂了浓度在1.0×10¹⁸cm^‑3以上且9.0×10¹⁸cm^‑3以下的范围内的Mg。