预防短路的场效应晶体管结构

摘要

本实用新型公开一种预防短路的场效应晶体管结构，尤指一种运用于功率的分离元件，如金属氧化物半导体场效晶体管或绝缘栅双极晶体管(IGBT)等晶体管型态的晶体管结构上，主要包括有一集成电路片(MOSFET CHIP)及金属连通片(METAL CLIP)，主要是于金属连通片在与栅极垫片相接合的那面刷上银线条，用来避免黏着导通金属连接片与栅极垫片的锡膏因溢开渗入栅极通道(GATE BUS)而造成短路现象发生为其主要实用新型要点。

主权项

一种预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，包括有：一集成电路片，其上分设有源极区域与栅极区域，且在该源极区域上分切有栅极通道，以导通栅极区域的电讯流通；一金属连通片，一端与集成电路片的源极区域相连通，另一端与晶体管引脚相连通；多个沟槽，挖设于金属连通片上对应该金属连通片与源极区域接合的面，且于该沟槽的表面设有一层银金属；锡膏，点置于集成电路片的源极区域欲与金属连通片相贴合的区域内。