薄膜晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法。所述薄膜晶体管结构包括基材、栅极、栅极绝缘层、源极连接层、漏极连接层、源极、漏极及半导体层。其中，半导体层不直接接触源极与漏极，乃是通过源极连接层及漏极连接层分别与源极和漏极连接，以解决薄膜晶体管组件劣化及效能降低等问题。

主权项

一种薄膜晶体管结构，包括：基材，具有一主要表面；栅极，设置于该基材的该主要表面上；栅极绝缘层，覆盖于该栅极及该基材上；源极连接层及漏极连接层，设置于该栅极绝缘层上且彼此分离一间隙；源极和漏极，分别设置于该源极连接层及该漏极连接层上，且分别接触该源极连接层和该漏极连接层；以及半导体层，设置于该栅极绝缘层上与该栅极重叠的位置，该半导体层接触该源极连接层及该漏极连接层，且填充在该源极连接层与该漏极连接层之间的该间隙中，其中该源极连接层的一端以及该漏极连接层的一端夹置在该半导体层与该栅极绝缘层之间，其中从垂直该主要表面的方向上观察，该半导体层不与该源极和该漏极重叠，且该半导体层与该源极和该漏极之间存在间距，该间距露出部分的该源极连接层和部分的该漏极连接层。