发明名称 |
单BE结连续输出开关电容带隙基准电路 |
摘要 |
本发明公开了一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路,涉及调节电压或电流的装置技术领域。所述基准电路包括电流源组I、第一可控开关组S<sub>a</sub>、BE结产生电路、第二可控开关组S<sub>b</sub>、电压存储电路组a、可控开关S<sub>0</sub>-S<sub>6</sub>、第一电压存储电路、电压平均存储电路、第一加法电路、增益电路K、第二电压存储电路、第二加法电路和第三电压存储电路。所述电路的输出基准电压更精确,工艺灵活性和稳定性更高,没有采用电阻,可与标准数字CMOS工艺兼容,兼容性强。 |
申请公布号 |
CN104571245B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201410780583.4 |
申请日期 |
2014.12.17 |
申请人 |
河北新华北集成电路有限公司 |
发明人 |
赵永瑞;卢东旭;谷江;丁理想;曲韩宾;高博 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路,其特征在于:所述基准电路包括电流源组I、第一可控开关组S<sub>a</sub>、BE结产生电路、第二可控开关组S<sub>b</sub>、电压存储电路组a、可控开关S<sub>0</sub>‑S<sub>6</sub>、第一电压存储电路、电压平均存储电路、第一加法电路、增益电路K、第二电压存储电路、第二加法电路和第三电压存储电路,电源VDD依次经电流源组I、第一可控开关组S<sub>a</sub>与BE结产生电路的发射极连接,BE结产生电路的发射极第一路依次经可控开关S<sub>0</sub>、第一电压存储电路、可控开关S<sub>2</sub>与第一加法电路的减输入端连接,BE结产生电路的发射极其余路依次经第二可控开关组S<sub>b</sub>、电压存储电路组a、电压平均存储电路、可控开关S1与第一加法电路的加输入端连接,第一加法电路的输出端依次经增益电路K、可控开关S<sub>3</sub>、第二电压存储电路、可控开关S<sub>5</sub>与第二加法电路的一个加输入端连接,第一电压存储电路与可控开关S<sub>2</sub>的结点经可控开关S<sub>4</sub>与第二加法电路的另一个加输入端连接,第二加法电路的输出端经可控开关S<sub>6</sub>与第三电压存储电路的一端连接,第三电压存储电路的另一端为所述基准电路的电压输出端。 |
地址 |
050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 |