液晶介质和包含其的高频组件

摘要

本发明涉及液晶介质，其包含一种或多种选自式I,II和III化合物的化合物其中参数具有权利要求1中所示的含义，和涉及包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。

主权项

液晶介质，特征在于其包含‑一种或多种选自式I,II和III的化合物的化合物其中R¹表示H，具有1至17个C原子的未氟代烷基或未氟代烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟代烯基、未氟代烯氧基或未氟代烷氧基烷基，n表示0或1,和至彼此独立地表示或者还表示其中R²表示H，具有1至17个C原子的未氟代烷基或未氟代烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟代烯基、未氟代烯氧基或未氟代烷氧基烷基，Z²¹表示反式‑CH＝CH‑,反式‑CF＝CF‑或‑C≡C‑,和彼此独立地表示其中R³表示H，具有1至17个C原子的未氟代烷基或未氟代烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟代烯基、未氟代烯氧基或未氟代烷氧基烷基，Z³¹和Z³²之一表示反式‑CH＝CH‑,反式‑CF＝CF‑或‑C≡C‑而另一个与其独立地表示反式‑CH＝CH‑,反式‑CF＝CF‑或单键，和至彼此独立地表示或者还独立地表示和‑任选地一种或多种可聚合化合物，优选式P的可聚合化合物P^a‑(Sp^a)_s1‑(A¹‑Z¹)_n1‑A²‑Q‑A³‑(Z⁴‑A⁴)_n2‑(Sp^b)_s2‑P^b    P其中各个基团具有以下含义：P^a,P^b    各自彼此独立地是可聚合基团，Sp^a,Sp^b  各自彼此独立地表示间隔基团，s1,s2   各自彼此独立地表示0或1,n1,n2   各自彼此独立地表示0或1，优选0，Q       表示单键,‑CF₂O‑,‑OCF₂‑,‑CH₂O‑,‑OCH₂‑,‑(CO)O‑,‑O(CO)‑,‑(CH₂)₄‑,‑CH₂‑CH₂‑,‑CF₂‑CF₂‑,‑CF₂‑CH₂‑,‑CH₂‑CF₂‑,‑CH＝CH‑,‑CF＝CF‑,‑CF＝CH‑,‑(CH₂)₃O‑,‑O(CH₂)₃‑,‑CH＝CF‑,‑C≡C‑,‑O‑,‑CH₂‑,‑(CH₂)₃‑,‑CF₂‑,优选‑CF₂O‑,Z¹,Z⁴表示单键,‑CF₂O‑,‑OCF₂‑,‑CH₂O‑,‑OCH₂‑,‑(CO)O‑,‑O(CO)‑,‑(CH₂)₄‑,‑CH₂‑CH₂‑,‑CF₂‑CF₂‑,‑CF₂‑CH₂‑,‑CH₂‑CF₂‑,‑CH＝CH‑,‑CF＝CF‑,‑CF＝CH‑,‑(CH₂)₃O‑,‑O(CH₂)₃‑,‑CH＝CF‑,‑C≡C‑,‑O‑,‑CH₂‑,‑(CH₂)₃‑,‑CF₂‑,其中Z¹和Q或Z⁴和Q不同时表示选自‑CF₂O‑和‑OCF₂‑的基团,A¹,A²,A³,A⁴各自彼此独立地表示选自以下的二价基团：a)反式‑1,4‑亚环己基,1,4‑亚环己烯基和1,4′‑亚双环己基,此外其中一个或多个不相邻的CH₂基团可以被‑O‑和/或‑S‑替代，且此外其中一个或多个H原子可以被F替代，b)1,4‑亚苯基和1,3‑亚苯基，此外其中一个或两个CH基团可以被N替代且此外其中一个或多个H原子可以被L替代，c)四氢吡喃‑2,5‑二基,1,3‑二噁烷‑2,5‑二基,四氢呋喃‑2,5‑二基,环丁烷‑1,3‑二基,哌啶‑1,4‑二基,噻吩‑2,5‑二基和硒吩‑2,5‑二基,其各自还可以被L单或多取代，d)饱和的，部分不饱和的或完全不饱和的，且任选取代的，具有5至20个环C原子的多环基团，此外一个或多个所述环C原子可以被杂原子替代，优选选自双环[1.1.1]戊烷‑1,3‑二基,双环[2.2.2]辛烷‑1,4‑二基,螺[3.3]庚烷‑2,6‑二基,此外其中在这些基团中一个或多个H原子可以被L替代，和/或一个或多个双键可以被单键替代，和/或一个或多个CH基团可以被N替代，和A³,或者还可以为单键，L每次出现时相同或不同地表示F,Cl,CN,SCN,SF₅或具有最多12个C原子的直链或支链的在每种情况下任选氟代的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，R⁰³,R⁰⁴各自彼此独立地表示H,F或具有1至12个C原子的直链或支链的烷基，此外其中一个或多个H原子可以被F替代，M表示‑O‑,‑S‑,‑CH₂‑,‑CHY¹‑或‑CY¹Y²‑,和Y¹和Y²各自彼此独立地具有以上对于R⁰³所示的含义之一，或表示Cl或CN，和Y¹和Y²之一或者还表示‑OCF₃,优选H,F,Cl,CN或CF₃。