| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×10<sup>10</sup>cm<sup>-2</sup>)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×10<sup>11</sup>cm<sup>-2</sup>低。 | ||
| 申请公布号 | CN105378904A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201480038561.9 | 申请日期 | 2014.06.06 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 梅本康成;黑川敦;西明恒和 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 舒艳君;李洋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有：集电极层；基极层，其形成在上述集电极层上；以及发射极层，其形成在上述基极层上，上述集电极层具备：第一导电型半导体层；和至少一层的第二导电型半导体层，上述第二导电型半导体层的层浓度的总和被设定为比1×10<sup>11</sup>cm<sup>‑2</sup>低。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||