| 发明名称 | 一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述非晶硅层位于硅基波导中部脊形凸起结构的上表面；所述银电极位于非晶硅层的上表面；所述金属电极位于硅基波导中部脊形凸起结构一侧的硅基波导平面部分上表面。本发明的有益效果为，本发明具有尺寸小的优点，同时还具备较强的稳定性，受温度和电压的波动影响小，并且还具有良好的抗辐照特性。 | ||
| 申请公布号 | CN105372849A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510847861.8 | 申请日期 | 2015.11.27 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李伟;郭安然;宋钦剑;郭国辉;李东阳;蒋亚东 |
| 分类号 | G02F1/01(2006.01)I;G02B6/12(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关，其特征在于，包括硅基波导(1)、非晶硅层(2)、银电极(3)和金属电极(4)；所述硅基波导(1)为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述非晶硅层(2)位于硅基波导(1)中部脊形凸起结构的上表面；所述银电极(3)位于非晶硅层(2)的上表面；所述金属电极(4)位于硅基波导(1)中部脊形凸起结构一侧的硅基波导平面部分上表面。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||