发明名称 具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料的制备及应用
摘要 本发明为一种具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料的制备及应用,其化学式为MoO<sub>3-x</sub>(0≤x≤1)。其制备方法是将四钼酸铵或者仲钼酸铵晶体研磨成粉末,在空气中或者密封于石英管中放入马弗炉,升温至400~550℃并保温6~12h,升温速度为10℃/min。当温度降到140℃左右时,取出样品,在70~90℃干燥箱中干燥8~12h,得到具有高比电容特性的氧化钼粉体电极材料。本发明生产过程特别简单、生产效率高、对设备要求低、原料廉价、便于大规模生产,并且比电容特性优良(电流密度为0.5A/g时,比电容达到318F/g),可应用于超级电容器、锂离子电池等领域以及其它大电流需求的电器元件,应用广泛。
申请公布号 CN105374577A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201510809609.8 申请日期 2015.11.23
申请人 太原理工大学 发明人 轩海成;何宏伟;张永庆;徐曰魁;李慧;韩培德
分类号 H01G11/46(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I 主分类号 H01G11/46(2013.01)I
代理机构 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人 卢茂春
主权项 具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料,其特征是化学通式简写为MoO<b><sub>3‑x</sub></b> 其中,0≤x≤1<b>。</b>
地址 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号