发明名称 |
具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料的制备及应用 |
摘要 |
本发明为一种具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料的制备及应用,其化学式为MoO<sub>3-x</sub>(0≤x≤1)。其制备方法是将四钼酸铵或者仲钼酸铵晶体研磨成粉末,在空气中或者密封于石英管中放入马弗炉,升温至400~550℃并保温6~12h,升温速度为10℃/min。当温度降到140℃左右时,取出样品,在70~90℃干燥箱中干燥8~12h,得到具有高比电容特性的氧化钼粉体电极材料。本发明生产过程特别简单、生产效率高、对设备要求低、原料廉价、便于大规模生产,并且比电容特性优良(电流密度为0.5A/g时,比电容达到318F/g),可应用于超级电容器、锂离子电池等领域以及其它大电流需求的电器元件,应用广泛。 |
申请公布号 |
CN105374577A |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201510809609.8 |
申请日期 |
2015.11.23 |
申请人 |
太原理工大学 |
发明人 |
轩海成;何宏伟;张永庆;徐曰魁;李慧;韩培德 |
分类号 |
H01G11/46(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I |
主分类号 |
H01G11/46(2013.01)I |
代理机构 |
太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 |
代理人 |
卢茂春 |
主权项 |
具有高比电容特性氧化钼粉体电极材料,其特征是化学通式简写为MoO<b><sub>3‑x</sub></b> 其中,0≤x≤1<b>。</b> |
地址 |
030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号 |