| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT的半导体有源层的弯曲度不能满足柔性显示的要求的问题。本发明实施例提供的TFT，包括半导体有源层，所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物。本发明实施例的半导体有源层的弯曲度能够满足柔性显示的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103474475B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201310432334.1 | 申请日期 | 2013.09.22 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 张恺宁 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括半导体有源层，其特征在于，所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物；其中，替代元素为元素周期表的镧系元素中的至少一种元素；所述薄膜晶体管的栅极由石墨烯导体制作而成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||