| 发明名称 | 一种自适应干扰信号扩大装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种自适应干扰信号扩大装置，包括信号源、输入匹配网络、有源器件、直流偏置、输出匹配网络和负载；所述信号源的输出端连接输入匹配网络的输入端，输入匹配网络的输出端连接有源器件的输入端，有源器件的输出端连接输出匹配网络的输入端，输出匹配网络的输出端连接至负载的输入端；所述直流偏置的输出端连接至有源器件。本发明能够实现干扰匹配和功率增益匹配，不仅能够达到干扰信号扩大器的最小干扰系数，而且能够实现功率的最大传输。 | ||
| 申请公布号 | CN102983815B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201210489008.X | 申请日期 | 2012.11.26 |
| 申请人 | 中国人民解放军第四军医大学 | 发明人 | 王斯刚;屈学民;文峻;尚永兵;李维娜;张敏 |
| 分类号 | H03F1/02(2006.01)I;H04B1/16(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种自适应干扰信号扩大装置，其特征在于，包括第一MOS管(M<sub>1</sub>)、第二MOS管(M<sub>2</sub>)、第一电阻(R<sub>1</sub>)、第二电阻(R<sub>2</sub>)、负载电阻(R<sub>L</sub>)、限流电阻(R<sub>d</sub>)、第一电感(L<sub>1</sub>)、第二电感(L<sub>S</sub>)、第一电容(C<sub>1</sub>)、第二电容(C<sub>2</sub>)和隔直电容(C<sub>C</sub>)；第二电感(L<sub>s</sub>)连接在第一MOS管(M<sub>1</sub>)的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使第一MOS管(M<sub>1</sub>)栅极的输入阻抗等于或近似等于干扰最优源阻抗的共轭，第一MOS管(M<sub>1</sub>)的漏极通过第二电容(C<sub>2</sub>)和负载电阻(R<sub>L</sub>)接地电位；第一电容(C<sub>1</sub>)和第一电感(L<sub>1</sub>)组成一个输入匹配网络(2)，其中一端与第一MOS管(M<sub>1</sub>)栅极相连，另一端通过隔直电容(C<sub>C</sub>)与信号源连接；第二电容(C<sub>2</sub>)和第四电感(L<sub>d</sub>)组成一个输出匹配网络(5)，其中一端与第一MOS管(M<sub>1</sub>)漏极相连，另一端与负载电阻(R<sub>L</sub>)连接；限流电阻(R<sub>d</sub>)一端与电源V<sub>dd</sub>相连，另一端与第四电感(L<sub>d</sub>)相连；第二MOS管(M<sub>2</sub>)、第一电阻(R<sub>1</sub>)和第二电阻(R<sub>2</sub>)组成电流镜电路，第二MOS管(M<sub>2</sub>)的栅极和漏极相连，源极接地电位，第一电阻(R<sub>1</sub>)的一端与电源V<sub>dd</sub>相连，另一端与第二MOS管(M<sub>2</sub>)的漏极相连，第二电阻(R<sub>2</sub>)的一端与第二MOS管(M<sub>2</sub>)的栅极相连，另一端连接在隔直电容(C<sub>C</sub>)和第一电感(L<sub>1</sub>)的公共连接点上。 | ||
| 地址 | 710032 陕西省西安市长乐西路17号 | ||