光电子半导体器件

摘要

本发明说明一种光电子半导体器件，包括载体（1），所述载体具有上侧（12）和与上侧（12）相对的下侧（11），其中载体（1）利用导电的安装区域（1A）、导电的连接区域（1C）以及电绝缘的氧化区域（1B）构成；至少一个在载体（1）的上侧处布置在安装区域（1A）的区域的光电子构件（2），其中氧化区域（1B）使安装区域（1A）与连接区域（1C）电绝缘，氧化区域（1B）无中断地从载体（1）的上侧（12）向载体（1）的下侧（11）延伸，安装区域（1A）和连接区域（1B）利用铝（10）构成，氧化区域（1B）利用铝（10）的氧化物（15）构成，并且安装区域（1A）、氧化区域（1B）和连接区域（1C）被连贯地构造并且构成一个单元。

主权项

一种光电子半导体器件（100），包括：‑载体（1），所述载体具有上侧（12）和与上侧（12）相对的下侧（11），其中载体（1）利用导电的安装区域（1A）、导电的连接区域（1C）以及电绝缘的氧化区域（1B）构成；‑至少一个在载体（1）的上侧处布置在安装区域（1A）的区域中的光电子构件（2），其中‑氧化区域（1B）使安装区域（1A）与连接区域（1C）电绝缘，‑氧化区域（1B）无中断地从载体（1）的上侧（12）向载体（1）的下侧（11）延伸，‑安装区域（1A）和连接区域（1B）利用铝（10）构成，‑氧化区域（1B）利用铝（10）的氧化物（15）构成，并且‑安装区域（1A）、氧化区域（1B）和连接区域（1C）被连贯地构造并且构成一个单元，‑氧化区域（1B）完全包围安装区域（1A）和连接区域（1C）并且完全构成载体（1）的边缘区域，‑在载体（1）的下侧（11）处在安装区域（1A）和/或连接区域（1C）的区域中构造至少一个其它氧化区域（40），‑该其它氧化区域（40）在竖直方向（V）上不在任何部位完全构造出载体（1），‑该其它氧化区域（40）不与载体（1）的另外的氧化区域（1B）构成单元，并且通过载体（1）的未被氧化的区域而与另外的氧化区域分离，‑其中在下侧（11）处的面（11F）上在其它氧化区域（40）的区域中施加接触元件（A3），所述接触元件通过该其它氧化区域（40）与载体（1）的剩余部分电绝缘并且用于将半导体器件（100）固定在接触载体上。