发明名称 |
偏二氯乙烯类共聚物、其组合物及其膜或片材 |
摘要 |
本发明的偏二氯乙烯类共聚物组合物在熔融成型时由热分解所致的偏二氯乙烯产生量少;能够得到膜厚均匀性优异且热劣化杂质点数少的膜或片材;并且熔融成型加工品的再循环适应性高;高频密封适应性和加热加压杀菌适应性(所谓的蒸煮适应性)优异。本发明的偏二氯乙烯类共聚物是由偏二氯乙烯和氯乙烯构成的偏二氯乙烯类共聚物,其中,在利用质子核磁共振分光法(<sup>1</sup>H-NMR)进行分析的情况下,来自分子链末端的碳-碳双键的信号的积分值相对于构成偏二氯乙烯类共聚物的单体单元为0.5摩尔%以下。 |
申请公布号 |
CN103224581B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201210021064.0 |
申请日期 |
2012.01.30 |
申请人 |
旭化成化学株式会社 |
发明人 |
武井徹;吉田谦次 |
分类号 |
C08F214/08(2006.01)I;C08F214/06(2006.01)I;C08L27/08(2006.01)I;C08L27/06(2006.01)I;B65D65/46(2006.01)I |
主分类号 |
C08F214/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种偏二氯乙烯类共聚物,其是由偏二氯乙烯和氯乙烯构成的偏二氯乙烯类共聚物,其中,在利用质子核磁共振分光法(<sup>1</sup>H‑NMR)进行分析的情况下,来自分子链末端的碳‑碳双键的信号的积分值相对于构成偏二氯乙烯类共聚物的单体单元为0.5摩尔%以下,并且,在利用基于质子核磁共振分光法(<sup>1</sup>H‑NMR)的分子扩散系数测定进行分析的情况下,化学位移为3.95ppm的信号的峰顶的扩散系数与化学位移为3.25ppm的信号的峰顶的扩散系数之比为1:1.5~1:5。 |
地址 |
日本东京都 |