沟槽式栅极金氧半场效晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管的制造方法。此方法包括：在衬底上形成磊晶层。在磊晶层中形成沟槽。在磊晶层及沟槽的表面上顺应性地形成第一绝缘层。在沟槽的底部形成第一导体层。移除部分第一绝缘层，以形成裸露的第一导体层上部的第二绝缘层。进行氧化制程，将第一导体层氧化成第三绝缘层，上述氧化制程同时在磊晶层的表面及沟槽的侧壁上形成第四绝缘层。在沟槽中形成第二导体层。主体层分别形成于沟槽两侧的磊晶层中。掺杂区分别形成于沟槽两侧的主体层中。

主权项

一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在具有第一导电型的衬底上形成具有所述第一导电型的磊晶层；在所述磊晶层中形成沟槽；在所述磊晶层及所述沟槽的表面上顺应性地形成第一绝缘层及第一导体层；在所述沟槽中填满第二绝缘层；移除部分所述第一导体层，以形成第二导体层在所述第二绝缘层的下方；移除所述第二绝缘层及部分所述第一绝缘层，以形成第三绝缘层在所述第二导体层的下方；进行氧化制程，将所述第二导体层氧化成第四绝缘层，所述氧化制程同时在所述磊晶层的表面及所述沟槽的侧壁上形成第五绝缘层；在所述沟槽中形成第三导体层；在所述沟槽两侧的所述磊晶层中分别形成具有第二导电型的主体层；以及在所述沟槽两侧的所述主体层中分别形成具有所述第一导电型的掺杂区。